Görsel mevcut değil
IRGP6650D-EPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT WITH RECOVERY DIODE
IRGP6650D-EPBF Hakkında
IRGP6650D-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. Entegre recovery diode'a sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 80A collector akımı ve 105A pulsed akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu IGBT, güç dönüştürme sistemleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 40ns açılış ve 105ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Bileşen şu anda üretilmemektedir (obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
105 A
Gate Charge
75 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
306 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
300µJ (on), 630µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/105ns
Test Condition
400V, 35A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V