Görsel mevcut değil
IRGP4760PBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT WITH RECOVERY DIODE
IRGP4760PBF Hakkında
IRGP4760PBF, dahili recovery diode'lu bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 90A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu komponent, 325W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleri ile 70ns on ve 140ns off gecikmesi sağlar. -40°C ile +175°C arasında güvenli çalışır. Güç dönüştürme uygulamalarında, endüstri sürücülerinde, kaynak makinelerinde ve diğer yüksek akım anahtarlama devrelerinde kullanılır. 145nC gate charge değeri ile kontrollü anahtarlama performansı sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
144 A
Gate Charge
145 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
325 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
1.7mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
70ns/140ns
Test Condition
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 48A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V