Görsel mevcut değil
IRGP4750D-EPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
IRGP4750D-EPBF Hakkında
IRGP4750D-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Ultrafast soft recovery diyot özelliğine sahip olan bu komponent, 70A maksimum collector akımı ve 105A pulsed akım kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan cihaz, -40°C ile +175°C arasında çalışabilmektedir. 273W maksimum güç derecelendirmesi ve 150ns reverse recovery süresi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V, 35A şartlarında 2V olup, 650V breakdown voltajı ile yüksek gerilim endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç kaynakları ve inverter devreleri için tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
105 A
Gate Charge
105 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
273 W
Reverse Recovery Time (trr)
150 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/105ns
Test Condition
400V, 35A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V