Görsel mevcut değil
IRGIB10B60KD1P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
IRGIB10B60KD1P Hakkında
IRGIB10B60KD1P, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 16A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. Entegre ultrafast soft recovery diyotü sayesinde switching kaybını minimize ederek enerji verimliliği artırır. 44W maksimum güç dağıtımına ve -55°C ile 175°C arasında çalışmaya kapasitedir. 79ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 41nC gate charge ve düşük on/off gecikmesi ile kontrol kolaylığı sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
32 A
Gate Charge
41 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
44 W
Reverse Recovery Time (trr)
79 ns
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Switching Energy
156µJ (on), 165µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/180ns
Test Condition
400V, 10A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V