Görsel mevcut değil
IRGB6B60KPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N
IRGB6B60KPBF Hakkında
IRGB6B60KPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 600V Collector-Emitter breakdown voltajı ve maksimum 13A DC collector akımı ile çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. NPT (Non Punch Through) teknolojisi ile tasarlanmış olan transistör, 2.2V Vce(on) değerine sahiptir. Maksimum 90W güç tüketebilen komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 18.2nC gate charge ve 25ns/215ns açılma/kapanma süresi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Motor kontrol, invertörler, güç kaynakları ve benzeri uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
26 A
Gate Charge
18.2 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
90 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
110µJ (on), 135µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/215ns
Test Condition
400V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V