Görsel mevcut değil
IRGB4B60KPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 12A 63W TO220A
IRGB4B60KPBF Hakkında
IRGB4B60KPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 600V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 12A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 63W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 4A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. Gate charge 12nC ile düşük geçiş enerji gereksinimi sağlar. Switching energy değerleri (on için 130µJ, off için 83µJ) hızlı anahtarlama performansını gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter devrelerinde uygulanır. Bileşen, üretim sonlandırılmış (obsolete) durumda olup, stok kontrol edilmelidir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
12 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
63 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
130µJ (on), 83µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/100ns
Test Condition
400V, 4A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V