Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
IRGB4B60KD1PBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IRGB4B60K - IGBT WITH ULTRAFAST
- Aile / Seri
- IRGB4B60K
IRGB4B60KD1PBF Hakkında
IRGB4B60KD1PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V maksimum collector-emitter gerilimi ve 11A DC collector akımı ile çalışmaktadır. 22A pulsed akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 93 ns düşük reverse recovery time ve 12 nC gate charge özelliğine sahiptir. İleri ve geri kapatma enerjileri sırasıyla 73µJ ve 47µJ'dir. Maksimum güç dağılımı 63W olup, -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığı aralığında çalışır. Switching uygulamalarında, AC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve güç kaynakları tasarımlarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük kayıpları nedeniyle verimli güç dönüştürme uygulamalarına uygundur. Not: Bu bileşen kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Gate Charge
12 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
63 W
Reverse Recovery Time (trr)
93 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
73µJ (on), 47µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/100ns
Test Condition
400V, 4A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
İlgili Ürünler
