Görsel mevcut değil
IRGB20B60PD1PBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N
IRGB20B60PD1PBF Hakkında
IRGB20B60PD1PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 40A maksimum collector akımı ve 600V kolektör-emiter gerilim dayanımına sahiptir. NPT (Non-Punch Through) teknolojisinde tasarlanmış olan bu bileşen, güç yönetimi ve motor kontrolü uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 68nC gate charge ve 95µJ açılış/100µJ kapanış switching enerjisine sahiptir. Endüstriyel sürücü devreleri, inverter tasarımları ve PWM kontrolüne ihtiyaç duyan sistemlerde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
68 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
215 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
95µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/115ns
Test Condition
390V, 13A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V