Görsel mevcut değil
IRGB15B60KDPBF-INF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
IRGB15B60KDPBF-INF Hakkında
IRGB15B60KDPBF-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 31A collector akımı ve 600V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. NPT (Non-Punch Through) teknolojisiyle tasarlanan bu bileşen, 84 nC gate charge'ı ve 92 ns reverse recovery time'ı ile hızlı anahtarlama işlemleri sunar. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, güç dönüşüm devreleri, motor sürücüler, UPS sistemleri ve indüktif yükler için tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 208W maksimum güç kapasitesine sahiptir. 2.2V Vce(on) düşük doyma voltajı ile verimli çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
62 A
Gate Charge
84 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
208 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
220µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
34ns/184ns
Test Condition
400V, 15A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V