Görsel mevcut değil
IRGB14C40LPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IRGB14C40 - DISCRETE IGBT WITHOU
IRGB14C40LPBF Hakkında
IRGB14C40LPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen ayrık IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 430V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 20A maksimum kolektör akımı ile orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 27nC gate charge ve 900ns/6µs açılma/kapanma zamanları ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. TO-220-3 pakette sunulan bu komponent, 125W maksimum güç disipasyonu ile motor sürücüleri, SMPS güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ~ 175°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Şu anda üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C
900ns/6µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 5V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V