Görsel mevcut değil
IRG8P60N120KD-EPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH
IRG8P60N120KD-EPBF Hakkında
IRG8P60N120KD-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 100A sürekli kolektör akımı ve 120A nabız akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 600V test şartlarında 2V Vce(on) değerine sahip olup, 420W maksimum güç dissipasyonu sağlayabilir. Ön ve arka açılış gecikmesi sırasıyla 40ns ve 240ns'dir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri, kaynak makinaları ve UPS sistemlerinde uygulanır. Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 150°C arasındadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
345 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
420 W
Reverse Recovery Time (trr)
210 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/240ns
Test Condition
600V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V