Görsel mevcut değil
IRG7PH50K10D-EPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT, 90A I(C), 1200V V(BR)CES,
IRG7PH50K10D-EPBF Hakkında
IRG7PH50K10D-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 90A maksimum collector akımı, 160A pulsed akım kabiliyeti ve 400W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, switching uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve UPS sistemlerinde tercih edilmektedir. 130ns reverse recovery time ve düşük switching energy değerleriyle verimli çalışma sağlar. -40°C ile 150°C arası işletme sıcaklık aralığında çalışır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
300 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
400 W
Reverse Recovery Time (trr)
130 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
2.3mJ (on), 1.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
90ns/340ns
Test Condition
600V, 35A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V