Görsel mevcut değil
IRG7PH42UDPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IRG7PH42 - INSULATED GATE BIPOLA
IRG7PH42UDPBF Hakkında
IRG7PH42UDPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu transistör, maksimum 85A sürekli ve 90A darbe kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 320W güç yeteneği ile orta ve yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. İnverter, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak yer alır. TO-247-3 paket tipi ile montajı kolaydır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 1200V kolektör-emiter bozulma voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Düşük kapı yükü (157nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimliliği artırır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
157 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
320 W
Reverse Recovery Time (trr)
153 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/229ns
Test Condition
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V