Görsel mevcut değil
IRG7PH37K10D-EPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
IRG7PH37K10D-EPBF Hakkında
IRG7PH37K10D-EPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. Integrated Gate Bipolar Transistor (IGBT) teknolojisine sahip bu komponent, ultrafast soft recovery diyot içermektedir. Maksimum kolektör akımı 45A (pulse 60A), gate yükü 135nC ve maksimum güç 216W'tır. Reverse recovery süresi 120ns ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter devreleri gibi yüksek gerilim anahtarlaması gereken uygulamalarda kullanılır. -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(on) değeri 2.4V (15V, 15A koşullarında) ile düşük iletim kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
135 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
216 W
Reverse Recovery Time (trr)
120 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/240ns
Test Condition
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V