Görsel mevcut değil
IRG7PH35UD1PBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN
IRG7PH35UD1PBF Hakkında
IRG7PH35UD1PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Trench IGBT transistördür. 50A (max) collector akımı ve 150A pulsed collector akımı kapasitesine sahip bu bileşen, entegre ultra-düşük forward voltage diyot ile birlikte gelir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 179W maksimum güç yönetimi kapabiliyetine ve 130nC gate charge'a sahiptir. Vce(on) 2.2V @ 15V/20A koşullarında ölçülmüş olup, hızlı anahtarlama özellikleri ile 160ns off-delay süresi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektrik uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB integre edilmesi kolaydır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
130 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
179 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V