Görsel mevcut değil
IRG7PH35UD1PBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN
- Aile / Seri
- IRG7PH35UD
IRG7PH35UD1PBF Hakkında
IRG7PH35UD1PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Trench IGBT transistördür. 50A (max) collector akımı ve 150A pulsed collector akımı kapasitesine sahip bu bileşen, entegre ultra-düşük forward voltage diyot ile birlikte gelir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 179W maksimum güç yönetimi kapabiliyetine ve 130nC gate charge'a sahiptir. Vce(on) 2.2V @ 15V/20A koşullarında ölçülmüş olup, hızlı anahtarlama özellikleri ile 160ns off-delay süresi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektrik uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB integre edilmesi kolaydır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
130 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
179 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
İlgili Ürünler