Görsel mevcut değil
IRG7PH35UD1-EP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN
IRG7PH35UD1-EP Hakkında
IRG7PH35UD1-EP, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Trench IGBT transistördür. 50A maksimum kollektor akımı ve 150A pulsed akım kapasitesi ile güç kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, ultra düşük diyot ileri voltajı özelliğine sahiptir. 620µJ düşük switching enerjisi ve 2.2V Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, endüstriyel motor kontrol, kaynak makinaları, UPS sistemleri ve elektrik güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 179W maksimum güç yönetimi kapasitesi ve 160ns (off) switching süresi ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
130 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
179 W
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
620µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/160ns
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V