Görsel mevcut değil
IRG7PH28UD1PBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR GATE TRAS
IRG7PH28UD1PBF Hakkında
IRG7PH28UD1PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, Trench teknolojisi ile imal edilmiştir. 30A sürekli kolektör akımı ve 100A darbe akımı kapasitesi ile güç elektoniği uygulamalarında kullanılır. 115W maksimum güç dağılımı ve 543µJ kapanış enerji seviyesi ile yüksek frekanslı anahtarlama devreleri, inverter topologyileri ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. TO-247-3 paketindeki Through Hole montajı ile elektrik yönetim sistemlerine entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
90 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
115 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
543µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/229ns
Test Condition
600V, 15A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V