Görsel mevcut değil
IRG4PSH71UDPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-274AA
- Açıklama
- IRG4PSH71 - DISCRETE IGBT WITH A
IRG4PSH71UDPBF Hakkında
IRG4PSH71UDPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 1200V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 99A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-274AA (SUPER-247) paketinde sunulan bu komponent, 350W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 46ns açılış ve 250ns kapanış gecikme süresi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç kaynakları, UPS, endüstriyel sürücüler ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
99 A
Part Status
Active
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
570 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-274AA
Power - Max
350 W
Reverse Recovery Time (trr)
110 ns
Supplier Device Package
SUPER-247 (TO-274AA)
Switching Energy
8.8mJ (on), 9.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
46ns/250ns
Test Condition
960V, 70A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 70A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V