Görsel mevcut değil
IRG4PSH71KDPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-274AA
- Açıklama
- IRG4PSH71 - DISCRETE IGBT WITH A
IRG4PSH71KDPBF Hakkında
IRG4PSH71KDPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V collector-emitter breakdown voltajına sahip ayrık bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 78A maksimum collector akımı ve 156A pulsed akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 350W güç dağıtabilir. TO-274AA (SUPER-247) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, AC-DC ve DC-DC dönüştürücüleri gibi güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 3.9V Vce(on) değeriyle endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. Düşük reverse recovery time (107ns) ile hızlı anahtarlama yapabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
78 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
156 A
Gate Charge
410 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-274AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 W
Reverse Recovery Time (trr)
107 ns
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
Switching Energy
5.68mJ (on), 3.23mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
67ns/230ns
Test Condition
800V, 42A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 42A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V