Görsel mevcut değil
IRG4PH50S-EPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1200V 57A TO247AD
IRG4PH50S-EPBF Hakkında
IRG4PH50S-EPBF, International Rectifier tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 57A collector akımı (pulse modunda 114A) kapasitesiyle yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.8mJ açılma ve 19.6mJ kapanma enerjisi ile verimli elektrik dönüştürme ve motor kontrolü sistemlerinde yer alır. 200W maksimum güç yeteneğine sahip olup, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel uygulamalar, enerji dönüştürücüler ve güç elektroniği devrelerinde tercih edilen bir bileşendir. Ürün artık obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
57 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
114 A
Gate Charge
167 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
32ns/845ns
Test Condition
960V, 33A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 33A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V