Görsel mevcut değil
IRG4PH40UD2-EP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IRG4PH40 - DISCRETE IGBT WITH AN
IRG4PH40UD2-EP Hakkında
IRG4PH40UD2-EP, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 41A maksimum collector akımı ile güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 160W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 50ns reverse recovery time ve düşük switching energy özellikleri sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel motor kontrolü, UPS sistemleri, kaynak makineleri ve AC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Gate charge 100nC, Vce(on) 3.1V (@15V, 21A) özellikleri ile hızlı ve verimli anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
82 A
Gate Charge
100 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
160 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
1.95mJ (on), 1.71mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/100ns
Test Condition
800V, 21A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.1V @ 15V, 21A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V