Görsel mevcut değil
IRG4PH20KDPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IRG4PH20 - DISCRETE IGBT WITH AN
IRG4PH20KDPBF Hakkında
IRG4PH20KDPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 11A sürekli kolektör akımı ve 22A pulslu kapasiteye sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 28nC gate charge ve 50ns/100ns açılma/kapanma süresiyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-247-3 paket içinde sunulan bu transistör, 4.3V Vce(on) değeriyle ve 60W maksimum güç derecelendirmesiyle endüstriyel sürücü devreler, invertör uygulamaları, güç kaynakları ve motorların PWM kontrolü gibi alanlarda yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Gate Charge
28 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
51 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
620µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/100ns
Test Condition
800V, 5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.3V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V