Görsel mevcut değil
IRG4PF50WPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N
IRG4PF50WPBF Hakkında
IRG4PF50WPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 51A kollektör akımı ve 900V kırılma gerilimine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 200W maksimum güç kapasitesi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile sanayi uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve UPS sistemlerinde tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, 29ns açılış ve 110ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
51 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
204 A
Gate Charge
160 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
190µJ (on), 1.06mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
29ns/110ns
Test Condition
720V, 28A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 28A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V