Görsel mevcut değil
IRG4PC30SPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IRG4PC30 - TRANS IGBT CHIP N-CH
IRG4PC30SPBF Hakkında
IRG4PC30SPBF, N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 34A maksimum collector akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 100W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 50nC gate charge ve düşük switching enerji değerleriyle (on: 260µJ, off: 3.45mJ) anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. AC motor kontrolleri, inverterler, solar uygulamaları ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
34 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
68 A
Gate Charge
50 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
260µJ (on), 3.45mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/540ns
Test Condition
480V, 18A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 18A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V