Görsel mevcut değil
IRG4BC30FD1PBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 31A 100W TO220AB
IRG4BC30FD1PBF Hakkında
IRG4BC30FD1PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) türü tekil transistördür. TO-220-3 paketinde gelen bu komponent, 31A maksimum collector akımı ve 100W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 1.8V Vce(on) değeriyle düşük ileri voltaj düşüşü sağlar. Gating işlemi için 15V kontrol voltajı ve 57nC gate charge gerektirmektedir. Switching hızı Td(on) 22ns ve Td(off) 250ns olup, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama kaybını minimize eder. 46ns reverse recovery time ile diyot kurtarma özelliği iyidir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığını destekler. Motor sürücüler, DC-DC konvertörler, inverterler ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen şu anda discontinued (sürüm dışı) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
124 A
Gate Charge
57 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
46 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
370µJ (on), 1.42mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/250ns
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V