Görsel mevcut değil
IRG4BC10SD-SPBF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IRG4BC10 - DISCRETE IGBT WITH AN
IRG4BC10SD-SPBF Hakkında
IRG4BC10SD-SPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip ayrık IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 14A maksimum collector akımı (18A pulse) kapasitesiyle tasarlanmış olup, 38W maksimum güç tüketimine sahiptir. TO-263 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 76ns açılış ve 815ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve inverter tasarımlarında kullanılır. 15nC gate charge ve 28ns reverse recovery time özellikleriyle verimli komütasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
310µJ (on), 3.28mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
76ns/815ns
Test Condition
480V, 8A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V