IKZ75N65ES5XKSA1

Üretici: Rochester Electronics
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: —
Açıklama: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4

IKZ75N65ES5XKSA1 Hakkında

IKZ75N65ES5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 80A kapasiteli Trench IGBT transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 395W maksimum güç tüketimine sahiptir ve -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışır. 164nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahip olan IGBT, switching energy değerleri on için 1.3mJ, off için 1.5mJ'dir. 72ns reverse recovery time sayesinde elektrik yönetim sistemlerinde, endüstriyel sürücülerde, UPS ve kaynak cihazlarında kullanım için uygundur. 1.75V @ 15V, 75A Vce(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar.

Ürün Özellikleri

17 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 80 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 300 A

Gate Charge 164 nC

IGBT Type Trench

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-247-4

Part Status Active

Power - Max 395 W

Reverse Recovery Time (trr) 72 ns

Supplier Device Package PG-TO247-4

Switching Energy 1.3mJ (on), 1.5mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 46ns/405ns

Test Condition 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 75A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V