Görsel mevcut değil
IKZ75N65EL5XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 100A TO247-4
IKZ75N65EL5XKSA1 Hakkında
IKZ75N65EL5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 100A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 536W maksimum güç yönetimi, 300A pulse akımı ve 59ns ters kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama gerçekleştirir. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 1.35V Vce(on) düşük açık durumu gerilimi ile enerji kaybını minimalize eder.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
436 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Part Status
Active
Power - Max
536 W
Reverse Recovery Time (trr)
59 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Switching Energy
1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
120ns/275ns
Test Condition
400V, 75A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.35V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V