Görsel mevcut değil
IKZ75N65EH5XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
IKZ75N65EH5XKSA1 Hakkında
IKZ75N65EH5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 90A IGBT transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir bipolar geçitli transistördür. 395W maksimum güç yeteneğine sahip olan cihaz, -40°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 58ns reverse recovery time ve hızlı anahtarlama özellikleriyle (on: 26ns, off: 347ns) endüstriyel kontrol, motor sürücü, kaynak makineleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. 166nC gate charge değeriyle sürücü gereksinimleri optimize edilmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
166 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Part Status
Active
Power - Max
395 W
Reverse Recovery Time (trr)
58 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Switching Energy
680µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/347ns
Test Condition
400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V