Görsel mevcut değil
IKZ50N65ES5XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
IKZ50N65ES5XKSA1 Hakkında
IKZ50N65ES5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/80A Trench IGBT transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 274W maksimum güç kapasitesi, 1.7V maksimum Vce(on) voltajı ve 120nC gate charge değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. Reverse recovery time 62ns ve switching energy değerleri (770µJ açılış, 880µJ kapanış) ile hızlı komütasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
120 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Part Status
Active
Power - Max
274 W
Reverse Recovery Time (trr)
62 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Switching Energy
770µJ (on), 880µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
36ns/294ns
Test Condition
400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V