Görsel mevcut değil
IKY75N120CH3XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 150A TO247-4
IKY75N120CH3XKSA1 Hakkında
IKY75N120CH3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V, 150A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır.
Temel özellikleri: Maksimum kolektör akımı 150A, darbe akımı 300A, gate charge 370nC, maksimum güç 938W, reverse recovery time 292ns. Vce(on) değeri 15V kapı voltajında 75A akımda 2.35V olarak belirtilmiştir.
Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C (TJ) arasındadır. Switching energy değerleri; açılış 3.4mJ, kapanış 2.9mJ olup, delay time açılış 38ns/kapanış 303ns'dir.
Endüstriyel güç denetim sistemleri, invertörler, motor kontrol uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır.
Temel özellikleri: Maksimum kolektör akımı 150A, darbe akımı 300A, gate charge 370nC, maksimum güç 938W, reverse recovery time 292ns. Vce(on) değeri 15V kapı voltajında 75A akımda 2.35V olarak belirtilmiştir.
Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C (TJ) arasındadır. Switching energy değerleri; açılış 3.4mJ, kapanış 2.9mJ olup, delay time açılış 38ns/kapanış 303ns'dir.
Endüstriyel güç denetim sistemleri, invertörler, motor kontrol uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
370 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Part Status
Active
Power - Max
938 W
Reverse Recovery Time (trr)
292 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Switching Energy
3.4mJ (on), 2.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
38ns/303ns
Test Condition
600V, 75A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.35V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V