Görsel mevcut değil
IKW50N65WR5XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
IKW50N65WR5XKSA1 Hakkında
IKW50N65WR5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 80A Trench IGBT transistörüdür. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek verimli bir çözüm sağlar. 282W maksimum güç seviyesinde çalışan transistör, -40°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığında stabil performans gösterir. Gate charge değeri 230 nC olup, düşük enerji kayıpları ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Vce(on) maksimum 1.8V (15V, 50A koşullarında) ve 110 ns reverse recovery time ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve elektrik panoları gibi uygulamalarda kullanılır. Through Hole montajı ile PCB'ye kolayca entegre edilebilir. Aktif parça durumundadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
230 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
282 W
Reverse Recovery Time (trr)
110 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
840µJ (on), 220µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
45ns/417ns
Test Condition
400V, 25A, 16Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V