Görsel mevcut değil
IKW03N120H2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
IKW03N120H2 Hakkında
IKW03N120H2, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/9.6A kapasiteli Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) komponentidir. Anti-parallel diod ile entegre olarak tasarlanmıştır. TO-247-3 paketlemesi ile through-hole montajı destekler. 62.5W maksimum güç kapasitesi ve 22nC gate charge değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 3A akımda 2.8V'tur. 42ns reverse recovery time ve 290µJ switching energy ile düşük kayıp özellikleri vardır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9.6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9.9 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
62.5 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Switching Energy
290µJ
Td (on/off) @ 25°C
9.2ns/281ns
Test Condition
800V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V