IKQ50N120CH3XKSA1

Üretici: Rochester Electronics
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-247-3
Açıklama: IGBT 1200V 100A TO247-3-46

IKQ50N120CH3XKSA1 Hakkında

IKQ50N120CH3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/100A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Maksimum 652W güç yönetebilen transistör, 235nC gate charge ve 3mJ açılış ile 1.9mJ kapanış enerjisine sahiptir. 2.35V Vce(on) değeri ile düşük konma gerilimi sunar. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve UPS sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, through-hole montaj türüyle PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.

Ürün Özellikleri

15 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 100 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A

Gate Charge 235 nC

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-247-3

Part Status Active

Power - Max 652 W

Supplier Device Package PG-TO247-3-46

Switching Energy 3mJ (on), 1.9mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 34ns/297ns

Test Condition 600V, 50A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V