Görsel mevcut değil
IKP40N65H5
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IKP40N65H5 Hakkında
IKP40N65H5, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 74A maksimum collector akımı ve 120A pulse akımı kapasitesi ile orta-yüksek güç seviyesinde çalışan devreler için uygun tasarlanmıştır. 250W maksimum güç dissipasyonu ile gerilim düzenleyiciler, motor kontrol devreler, kaynak makinaları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile standart DIP ve soket uyumluluğu sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
95 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
62 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Switching Energy
390µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/165ns
Test Condition
400V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V