Görsel mevcut değil
IKP40N65F5XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 74A TO220-3
IKP40N65F5XKSA1 Hakkında
IKP40N65F5XKSA1, 650V açılır gerilim kapasitesine sahip yüksek hızlı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 74A nominal ve 120A pulsed collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketlemesi ile delik montajı uygulamalarında kullanılır. 255W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 60ns ters kurtarma süresi ile anahtarlama devrelerinde düşük kayıp sağlar. 95nC gate charge değeri sürücü gereksinimlerini optimize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, elektrik kaynak devreleri, motor sürücüleri, invertörler ve indüktif yükler için uygun bir çözümdür. 15V gate voltajında 2.1V maksimum Vce(on) değeri verimli iletim sağlar. 19ns açılış ve 160ns kapanış gecikme süreleri hızlı anahtarlama uygulamalarında başarılı performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
95 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
255 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Switching Energy
360µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/160ns
Test Condition
400V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V