Görsel mevcut değil
IKP15N65F5XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 30A TO220-3
IKP15N65F5XKSA1 Hakkında
IKP15N65F5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 30A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. 105W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile orta ila yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum açılış gecikmesi 17ns, kapalı hali gecikmesi 150ns olarak belirtilmiştir. 38nC gate charge değeri ile kontrol devreleri tasarımında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu IGBT, dc-dc dönüştürücüler, invertör devreleri, endüstriyel motor sürücüleri ve güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
38 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
105 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Switching Energy
130µJ (on), 40µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/150ns
Test Condition
400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V