Görsel mevcut değil
IKP03N120H2XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
IKP03N120H2XKSA1 Hakkında
IKP03N120H2XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 9.6A collector akımı ve 62.5W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle çalışır. -40°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 2.8V Vce(on) değeri ve 22nC gate charge karakteristiği ile elektrik motor kontrolü, switched mode power supplies (SMPS) ve endüstriyel güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 42ns reverse recovery time ve 290µJ switching energy değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. Cihaz artık üretilmemektedir (obsolete status).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9.6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9.9 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
62.5 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Switching Energy
290µJ
Td (on/off) @ 25°C
9.2ns/281ns
Test Condition
800V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V