Görsel mevcut değil
IKP03N120H2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNEL
IKP03N120H2 Hakkında
IKP03N120H2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 1200V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 9.6A maksimum kollektör akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 62.5W maksimum güç kapasitesine sahiptir. 22nC gate charge, 42ns reverse recovery time ve 290µJ switching energy parametreleri ile yüksek hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, AC/DC güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltajlı anahtar uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9.6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9.9 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
62.5 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Switching Energy
290µJ
Td (on/off) @ 25°C
9.2ns/281ns
Test Condition
800V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V