Görsel mevcut değil
IKD15N60RBTMA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT, 30A, 600V, N-CHANNEL
IKD15N60RBTMA1 Hakkında
IKD15N60RBTMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Trench tipi IGBT transistördür. 30A maksimum kolektör akımı, 600V kesme gerilimi ve 250W maksimum güç derecelendirmesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulur. Bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 16ns açılış ve 183ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Gate Charge
90 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
110 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Switching Energy
900µJ
Td (on/off) @ 25°C
16ns/183ns
Test Condition
400V, 15A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V