Görsel mevcut değil
IKD04N60RBTMA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
IKD04N60RBTMA1 Hakkında
IKD04N60RBTMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistördür. Anti-parallel diyot içermeyen bu bileşen, maksimum 8A sürekli ve 12A darbe kollektör akımında çalışabilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında işletilir. 27nC kapı yükü ve 43ns geri kazanım zamanı özellikleriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V açık durumu voltajı (15V gate sürüsü, 4A akımda) ve 75W maksimum güç derecelendirmesiyle güç dönüştürme, motor kontrolü ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
27 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
43 ns
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Switching Energy
240µJ
Td (on/off) @ 25°C
14ns/146ns
Test Condition
400V, 4A, 43Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V