Görsel mevcut değil
IKB40N65EF5ATMA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IKB40N65 - INDUSTRY 14
IKB40N65EF5ATMA1 Hakkında
IKB40N65EF5ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/74A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 95 nC gate charge ve 2.1V on-state voltajı ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 250W maksimum güç dağıtımı ve 83ns reverse recovery time özellikleriyle güç elektronik uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrolü ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel sistemlerde kullanılır. 22ns açılış ve 160ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama yanıtı sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Part Status
Active
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
95 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max
250 W
Reverse Recovery Time (trr)
83 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Switching Energy
420µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/160ns
Test Condition
400V, 40A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V