Görsel mevcut değil
IHW50N65R5XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 80A TO247-3
IHW50N65R5XKSA1 Hakkında
IHW50N65R5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Collector-Emitter kırılma voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 80A sürekli collector akımı kapasitesine ve 150A pulse akımı desteğine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, inverter devrelerinde ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. 282W maksimum güç kapasitesi ve 1.7V @ 15V, 50A collector-emitter ileri voltajı (Vce(on)) ile verimli çalışma sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama ortamlarını destekler. 26ns açılış (Td on) ve 220ns kapanış (Td off) gecikmesi hızlı anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
230 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
282 W
Reverse Recovery Time (trr)
95 ns
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
740µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/220ns
Test Condition
400V, 25A, 8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V