Görsel mevcut değil
IGZ75N65H5XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4
IGZ75N65H5XKSA1 Hakkında
IGZ75N65H5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench IGBT transistörüdür. TO-247-4 pakette sunulan bu bileşen, maksimum 119A sürekli kollektör akımı ve 300A darbe akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 395W maksimum güç dissipasyon yeteneğine sahip olan transistör, anahtarlama uygulamaları, konvertörler, invertörler ve motor sürücü devreleri gibi endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 2.1V Vce(on) değeri ve düşük anahtarlama enerjisi (680µJ açılış, 430µJ kapanış) sayesinde verimli çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
119 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
166 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Part Status
Active
Power - Max
395 W
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Switching Energy
680µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/347ns
Test Condition
400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V