Görsel mevcut değil
IGZ50N65H5XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
IGZ50N65H5XKSA1 Hakkında
IGZ50N65H5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench IGBT transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 85A sürekli kolektör akımı ve 200A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 273W güç dağıtabilir ve -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır. 2.1V düşük VCE(on) değeri sayesinde verimli anahtarlama performansı sunar. Switching energy değerleri on için 410µJ, off için 190µJ'dir. 109nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve elektrik pil yönetim sistemleri gibi yüksek güç uygulamalarında kullanılan endüstriyel seviye bir IGBT çözümüdür.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
109 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Part Status
Active
Power - Max
273 W
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Switching Energy
410µJ (on), 190µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/250ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V