Görsel mevcut değil
IGW50N65H5FKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 80A TO247-3
IGW50N65H5FKSA1 Hakkında
IGW50N65H5FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/80A kapasiteli IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 305W güç tüketimine sahiptir. 80A nominal ve 150A pulslu kolektör akımı ile tasarlanmıştır. -40°C ile +175°C arasında güvenilir çalışır. Gate charge 120nC ile düşük geçiş kayıpları sağlar. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.1V'tur. Switching energy değerleri (on: 520µJ, off: 180µJ) ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel uygulamalarda, güç elektronikleri devrelerinde, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
120 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
305 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
520µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/180ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V