Görsel mevcut değil
IGW50N65F5FKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 80A TO247-3
IGW50N65F5FKSA1 Hakkında
IGW50N65F5FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 80A rated IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 150A pulse akım kapasitesi ile güç denetleme uygulamalarında kullanılır. 305W maksimum güç dissipasyonu ve 120nC gate charge özelliği ile anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 21ns açılış ve 175ns kapanış sürelerine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.1V'dur.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
120 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
305 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
490µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/175ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V