Görsel mevcut değil
IGW50N65F5AXKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V TO247-3
IGW50N65F5AXKSA1 Hakkında
IGW50N65F5AXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80A sürekli ve 150A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 270W güç derecelendirmesi ile orta-güç uygulamalarında kullanılır. 108nC gate charge değeri ile nispeten hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.1V olup, verimli bir çalışma karakteristiği sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel sürücüler, enerji dönüşüm sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Ürün mevcut durumda üretilmemektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
108 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
270 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
490µJ (on), 140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/156ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V