Görsel mevcut değil
IGW40N65F5FKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 74A TO247-3
IGW40N65F5FKSA1 Hakkında
IGW40N65F5FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/74A kapasiteli Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) entegre devresidir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında yüksek voltaj ve akım kontrolü için tasarlanmıştır. 255W maksimum güç kapasitesi ve 120A atımlı akım özelliğine sahiptir. Switching Energy değerleri (ON: 360µJ, OFF: 100µJ) ve hızlı switching süreleri (Td on: 19ns, Td off: 160ns) ile güç elektroniği devrelerinde verimli çalışma sağlar. -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel motor sürücüler, kaynak cihazları, UPS sistemleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
95 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
255 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
360µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/160ns
Test Condition
400V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V