Görsel mevcut değil
IGTM10N50
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
IGTM10N50 Hakkında
IGTM10N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 500V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. Standard giriş tipine sahip bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama (switching) işlevleri için kullanılır. TO-3 kılıfında sunulan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve diğer yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montaj türü sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına kolaylıkla entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
7 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Supplier Device Package
TO-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V